Тема проекта: Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения
Уникальный идентификатор проекта: RFMEFI57817X0240
Руководитель проекта: Брудный Валентин Натанович, д-р физ.-мат. наук
Сроки выполнения: 29.09.2017–30.06.2020
Программное мероприятие: 1.3 Проведение прикладных исследований, направленных на создание опережающего научно-технологического задела для развития отраслей экономики
Приоритетное направление: Транспортные и космические системы
Критическая технология: Технологии информационных, управляющих, навигационных систем
Полупроводниковые монолитные интегральные схемы (МИС) миллиметрового диапазона длин волн являются компонентами современных систем телекоммуникации и радиолокации. Благодаря особенностям полупроводниковых соединений группы III-N – значительной ширине запрещенной зоны, высокой подвижности электронов и электрической прочности нитридные СВЧ транзисторы способны работать при высоких температурах и удельной СВЧ мощности. Поэтому технология СВЧ МИС на основе нитридных соединений активно развивается.
Настоящий проект направлен на разработку СВЧ МИС с активным элементом – транзистором на основе нитрида индия-алюминия с высокой подвижностью электронов, выращенным на подложке карбида кремния. Технология промышленного производства таких структур в мире в настоящее время практически не разработана. Разработка отечественной технологии нитридных СВЧ МИС транзисторов открывает возможности создания новой элементной базы для техники наземного и космического применения. При этом повышение рабочей частоты и уровня удельной СВЧ мощности транзистора требует решения ряда технических задач, таких как уменьшение длины затвора, расстояния сток-исток, толщины барьерного слоя в транзисторе и других конструктивных и технологических решений. Для достижения заданных параметров необходимо решение задач по моделированию электрофизических и тепловых процессов в СВЧ МИС транзисторе, выявление механизмов деградации и отказа приборов, а также учета влияния внешних факторов космического пространства. Реализация проекта снизит риск экспортных ограничений и повысит информационную безопасность РФ.
Сведения о ходе выполнения проекта:
Первый этап
Второй этап
Третий этап